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        HgCdTe雪崩光電二極管還有哪些改進之處
        作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2021.03.01
        信息摘要:
        HgCdTe探測器逐漸成為一種流行趨勢,而其中的光電二極管則成為起到關鍵作用的光學元件,但在探測器的研究中,光電二極管與探測器的結合還有很多…
          HgCdTe探測器逐漸成為一種流行趨勢,而其中的光電二極管則成為起到關鍵作用的光學元件,但在探測器的研究中,光電二極管與探測器的結合還有很多缺陷,接下來,小編就來和大家探討一下探測器中光電二極管需要改進的地方。
          在HgCdTe雪崩光電二極管的研究方面,國外已做了大量的工作,但國內的研究還處于起步階段,需要突破的關鍵技術主要有:
          1、低缺陷碲鎘汞材料的生長技術,由于HgCdTe APD光電二極管工作偏壓較高,材料內部的位錯會導致器件在高偏壓下的性能變差,因此要求碲鎘汞外延材料具有較低的位錯密度;
          2、pn結結技術,離子注入和退火技術,這是HgCdTe APD制備平面結的關鍵技術之一,離子注入后,通過退火控制各區域的位置及摻雜濃度,形成理想的PIN結構;
          3、暗電流的抑制技術,要求暗電流和材料的截止波長、工作溫度、表面漏電流等因素與普通焦平面探測器件有著直接的聯系,需要對暗電流進行分析,并采用新的測量方法。
          以上便是光電二極管需要改進的內容,在實際生產研究中,研究人員要大膽創新,采用新的方法來使其功能得到改善,應用范圍得以擴大。關于雪崩光電二極管的內容還有很多,小編先分享到這里了。

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