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        碳化硅紫外APD光電二極管是怎么回事
        作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2021.03.26
        信息摘要:
        大面積800μm直徑4H-多型碳化硅紫外(UV)雪崩光電二極管,具有高增益(106)、高量子效率(81.5%)和低暗電流強度,并且紫外/可見…
          大面積800μm直徑 4H-多型碳化硅紫外(UV)雪崩光電二極管,具有高增益(106)、高量子效率(81.5%)和低暗電流強度,并且紫外/可見光抑制比很高。在該產品中,首次采用了變溫光致抗蝕劑回流技術,以產生平滑的斜面側壁,它能抑制泄漏電流,避免過早的邊沿擊穿。
          紫外探測在天文、通訊和生化分析方面有著廣泛的應用;紫外線還能在熒光實驗和火焰中發射;軍事警報和制導系統可以利用可見盲的紫外感應來引導或跟蹤導彈羽流。
          目前的碳化硅紫外APD在較大的反向偏壓下存在較大的暗電流和過早擊穿現象。這種方法將目前典型的碳化硅紫外APD的直徑限制在250微米以下,從而降低了檢測的靈敏度。研究者們認為他們所研究的碳化硅紫外APD大面積器件可能替代既笨重又昂貴的光電倍增管。
          它的制作始于電感耦合等離子體的腐蝕。在此過程中,臺面傾斜以避免邊緣擊穿效應;臺面蝕刻所用的厚刻膠經過回流處理,其中晶片由90℃每分鐘加熱到145℃。
          變溫提供了一個光滑的斜面,而在145°C時,它不同于恒定的溫度回流30秒,從而產生了鋸齒表面。同時,齒面的暗流會增加,導致過早擊穿。固定溫度回流會產生不均勻的熱場,導致抗蝕劑表面張力和回流速度的空間變化,從而產生表面粗糙度。經測定,不同回流溫度下產生的APD能在156V附近維持一個穩定的高擊穿值,而固定溫度下產生的APD雪崩光電二極管則能在100~150V之間變化很大。

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